Infineon英飛凌固態(tài)繼電器系列包括 HEXFET?功率MOSFET和IGBT封裝輸出光伏繼電器和光伏隔離器,使設計人員能夠靈活地創(chuàng)建自己的繼電器。
Infineon英飛凌?光伏繼電器 (PVR) 是遠程控制開關(開/關),具有從輸入到輸出的完全電流隔離。輸出端無需電源。
Infineon英飛凌?光伏隔離器(PVI)提供單通道和雙通道光隔離輸出,可用于直接驅動分立器件的柵極功率MOSFET和/或IGBT系列.該系列器件使設計人員能夠靈活地創(chuàng)建能夠控制超過 1000 V 和 100 A 負載的定制固態(tài)繼電器。
SoC提供了高度集成和緊湊的設計,SiP提供了更大的靈活性和性能優(yōu)化選擇,F(xiàn)PGA則提供了更高的靈活性和可編程性。
大規(guī)模MIMO(Massive MIMO)是一種先進的無線通信技術,它通過使用大量的天線來提高系統(tǒng)容量和性能。射頻電源在大規(guī)模MIMO系統(tǒng)中起著關鍵作用,它為所有天線提供所需的電力。Ampleon作為射頻功率領域的主角,有著最新的氮化鎵放大器解決方案,這些氮化鎵射頻產(chǎn)品經(jīng)過專門設計,可提供更高水平的高功率連續(xù)波解決方案,專為實現(xiàn)最佳效率而設計,同時實現(xiàn)盡可能低的熱阻。下面介紹Ampleon最新的氮化鎵放大器:
降壓型DC-DC轉換器是一種常用的電子器件,用于將較高的輸入電壓轉換為較低的輸出電壓。通過圖示和計算式講解降壓型DC-DC轉換器的工作原理。
20V/-5V, 40mA/40mA,隔離1W雙輸出5.2kVDC, DC-DC轉換器,4.5-5.5V輸入。
非隔離DC-DC轉換器模塊和隔離DC-DC轉換器模塊是兩種不同類型的DC-DC轉換器模塊,它們在電力轉換和電氣隔離方面存在一些區(qū)別。
用于 PoE 的 MYBSP 系列隔離式 DC-DC 轉換器可通過以太網(wǎng)電纜提供高達 72W 的直流電源。不再需要交流適配器或AC-DC轉換器,這減少了接線,也減少了安裝交流電源插座的工作。
Murata MonoBK?型DC/DC轉換器是多輸出負載點 (PoL) 器件,具有高功率密度、低噪聲和小尺寸等特性。Murata MonoBK型DC/DC轉換器的電流范圍為4A至30A,可為現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、微控制器 (MCU) 和專用集成電路 (ASIC) 提供高功率密度。
POL(Point of Load)非隔離DC-DC電源模塊,即靠近CPU、MCU、FPGA、DSP、ASIC配置的電源轉換器件,近年來隨著這些大規(guī)模集成性能的提高,要求供電的電壓越來越低,并增大電流,而降低電壓后,電壓精度隨著負載變化而需要高速響應,而POL電源模塊以其高速響應的能力,被廣泛應用于高精度的電源供電場景。
Ampleon?創(chuàng)新而一致的產(chǎn)品組合為廣泛的應用提供產(chǎn)品和解決方案,如移動寬帶基礎設施、廣播和電視廣播、CO2激光器和等離子體、MRI、粒子加速器、雷達和空中交通管制、非蜂窩通信、工業(yè)加熱、烹飪和解凍。
400 W GaN 封裝非對稱 Doherty 功率晶體管C4H27F400AV,適用于頻率為 2496 MHz 至 2690 MHz 的基站應用。
該B10G3336N16DL是一款 3 級 16 W 完全集成的 Doherty MMIC 解決方案,采用 Ampleon 最先進的 LDMOS 技術。該多頻段器件非常適合作為頻率范圍為 3300 MHz 至 3600 MHz 的通用器件。
隨著新產(chǎn)品的不斷涌現(xiàn),我們繼續(xù)支持客戶對廣播、工業(yè)、科學、醫(yī)療以及導航和安全無線電應用的需求。
Intel enpirion PowerSoC模塊是DC-DC降壓轉換器,產(chǎn)品安全可靠,使用方便,性能高,效率高,能滿足FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)、ASIC(特定應用集成電路)、處理器等相關方面極具挑戰(zhàn)性的電源要求。它具有以下優(yōu)點
我們提出了高壓(40-50 V) RF LDMOS技術,可在高達1.0 GHz的頻率下實現(xiàn)300-500 W的功率水平。該技術具有非常好的堅固性,一倍頻寬帶操作,可靠的電路匹配。
LDMOS晶體管已成為微波應用的器件選擇。概述了近十年來3.6 GHz LDMOS技術的發(fā)展,并介紹了用于S波段雷達的LDMOS微波產(chǎn)品的射頻性能。
Wi2Wi是一家垂直整合的全球制造商供應商,為全球市場提供無線連接解決方案、定時設備、頻率控制設備和微波濾波器。Wi2Wi時鐘振蕩器包括以下六類:
該SD11702提供 58A 的連續(xù)漏極電流和低 RDS(開)50mΩ。該SD11720設計用作功率半導體開關,其阻斷電壓、導通電阻和結電容的性能優(yōu)于硅 MOSFET。
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