ADI晶圓各種材料工藝對應(yīng)輸出功率及頻率
發(fā)布時間:2021-05-21 17:09:32 瀏覽:2563
在電子器件中,射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA等),而Gan on Si和SiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車電子學(xué)等)。
由于其高功率密度,GaN在基站大功率器件領(lǐng)域具有獨特的優(yōu)勢。與硅襯底相比,SiC襯底具有更好的導(dǎo)熱特性。目前,工業(yè)上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底,如Qorvo是基于SiC襯底的,硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作,具有更高的成本優(yōu)勢。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中,SiC襯底與GaN on Silicon的競爭僅占該領(lǐng)域的一小部分。GaN市場主要集中在低壓領(lǐng)域,而SiC主要用于高壓領(lǐng)域。他們的邊界約為600 V。
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Connor-Winfield頻率轉(zhuǎn)換器可轉(zhuǎn)換多達四個可選輸入頻率 從8 kHz到170 MHz,一個輸入到一個或多個輸出頻率高達1 GHz(例如 25 MHz 至 155.52 MHz 或 19.44 MHz 至 156.25 MHz)。 輸入電平可以是CMOS或LVPECL。輸出電平為CMOS或 LVPECL 取決于型號。輸出抖動非常低(0.3 Ps RMS 12 kHz-20 MHz)。輸入頻率跟蹤范圍涵蓋SONET至 以太網(wǎng)要求。鎖定報警指示是標(biāo)準(zhǔn)配置。常見變頻器模塊的應(yīng)用包括時鐘乘法、時鐘抖動衰減和再生、交叉 背板/背板的頻域轉(zhuǎn)換和分布式網(wǎng)元基本速率時鐘。所有頻率轉(zhuǎn)換器都是完整的定時系統(tǒng),幾乎不需要外部元件。
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