MICRON DDR4 內(nèi)存
發(fā)布時(shí)間:2021-06-04 17:07:48 瀏覽:1040
MICRON DDR4內(nèi)存是全新一代的存儲(chǔ)空間標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。2011年1月4日,三星電子完成了其在歷史上第一款DDR4存儲(chǔ)空間,MICRON DDR4和DDR3有三大區(qū)別:16位預(yù)取機(jī)制(DDR3為8位),在同樣內(nèi)核頻率下,理論研究速度是DDR3的兩倍;傳輸數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范更加安全可靠,數(shù)據(jù)安全可靠性進(jìn)一步提升,工作中電壓降為1.2V,更環(huán)保節(jié)能。
MICRON DDR4是DRAM的下一代演進(jìn),提供更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更強(qiáng)大的控制功能模塊,與此同時(shí)提高企業(yè)、微型服務(wù)器、平板電腦和超薄客戶(hù)端應(yīng)用領(lǐng)域的環(huán)保節(jié)能性。
微型DDR4內(nèi)存特點(diǎn):
寬度:x4、X8,x16;
電流電壓:1.2V;
封裝:FBGA、TFBGA;
時(shí)鐘頻率:1200MHz、1333MHz、1600MHz;
工作溫度:0℃至+95℃、-40℃至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃;
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫(kù)存MICRON高可靠性?xún)?nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級(jí)內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢(xún)合作。
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DATEL ADC-HZ12BGC 是一款12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC),支持8μs/20μs轉(zhuǎn)換時(shí)間,可編程輸入范圍包括±2.5V、±5V、0-5V、0-10V等,采樣率0.125MHz,功耗1.1W,線(xiàn)性誤差0.5LSB(積分)/0.75LSB(差分),工作溫度0°C至+70°C,需±15V和5V供電,不符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
Microsemi公司生產(chǎn)的軍用級(jí)別標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)整流二極管JANTX1N5552,屬JEDEC注冊(cè)的1N5550至1N5554系列,適用于高可靠性應(yīng)用場(chǎng)合。其性能參數(shù)涵蓋結(jié)點(diǎn)和存儲(chǔ)溫度、熱阻等多項(xiàng)指標(biāo)。主要特點(diǎn)有密封玻璃封裝、四層鈍化技術(shù)、內(nèi)部冶金鍵合,符合軍用標(biāo)準(zhǔn)且有RoHS合規(guī)商業(yè)級(jí)版本,是標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)5A整流器,具備高前向浪涌電流能力等多種優(yōu)勢(shì)。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,包括軍事、航空等需要高可靠性整流方案及一般整流器應(yīng)用場(chǎng)景。封裝類(lèi)型有通孔封裝和表面貼裝封裝 。
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