TPSM82901降壓模塊(集成電感器)TI 德州儀器
發(fā)布時(shí)間:2023-10-07 16:52:23 瀏覽:652
TI德州儀器TPSM82901是款高效化、精巧、靈活性且簡(jiǎn)單易用的同步降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器MicroSiP封裝模塊。2.5MHz或1.0MHz可選擇的開(kāi)關(guān)頻率兼容使用中小型器件,并提供高效瞬態(tài)響應(yīng)。TPSM82901使用DCS-Control拓?fù)浼嫒荨?/span>1%的高VOUT精密度。3V至17V的寬輸入電壓范圍支持多種標(biāo)稱(chēng)輸入,例如12V電源軌、單節(jié)或多節(jié)鋰離子電池、5V或3.3V電源軌。
TPSM82901能夠在輕負(fù)載時(shí)自動(dòng)化進(jìn)入省電模式(如果選擇自動(dòng)化PFM/PWM)以確保高效化。此外,想要在極小的負(fù)載下提供高效化,TPSM82901具備4μA的低典型靜態(tài)電流。AEE(如果啟動(dòng))能夠在VIN、VOUT和負(fù)載電流范圍以內(nèi)提供高效化。TPSM82901包含一個(gè)MODE/Smart-CONF輸入,用作設(shè)置內(nèi)部/外部分壓器、開(kāi)關(guān)頻率、輸出電壓充放電和自動(dòng)節(jié)電模式或強(qiáng)制性PWM操作。
TPSM82901使用中小型11管腳MicroSiP封裝,寬度為3.0mm×2.8mm×1.6mm,具有集成1μH電感器。
特征
?在寬pwm占空比和負(fù)載范圍以內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)高效率
–IQ:4μA(典型值)
–62mΩ高側(cè)和22mΩ低側(cè)RDS(ON)
?3mm×2.8mm×1.6mmMicroSiP?封裝
?高至1A的持續(xù)輸出電流
?整體工作溫度(-40°C至125°C)內(nèi)的反饋電壓精度達(dá)±0.9%
?可設(shè)置的輸出電壓選擇:
–VFB外部分壓器:0.6V至5.5V
–VSET內(nèi)部分壓器:16個(gè)電壓選擇(0.4V至5.5V)
?帶100%模式的DCS-Control拓?fù)?/span>
?通過(guò)MODE/S-CONF管腳實(shí)現(xiàn)操作靈活性
–2.5MHz或1.0MHz開(kāi)關(guān)頻率
–具備動(dòng)態(tài)模式調(diào)整選項(xiàng)的強(qiáng)制性PWM或自動(dòng)(PFM)省電模式
–自動(dòng)化效率增強(qiáng)(AEE)
–輸出放電開(kāi)/關(guān)
?高度靈活性且容易應(yīng)用
–針對(duì)單層布線的管腳排列進(jìn)行優(yōu)化
–高精密使能輸入
–電源正常情況輸出
–可調(diào)式軟啟動(dòng)和跟蹤
?不需要外部自舉電容器
?應(yīng)用TPSM82901并通過(guò)WEBENCH?Power Designer創(chuàng)建產(chǎn)品定制方案
應(yīng)用
?大數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)計(jì)算
?有線網(wǎng)絡(luò)
?無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
?智能化工廠和控制
?測(cè)試和測(cè)量
TI 德州儀器為美國(guó)知名集成電路設(shè)計(jì)與制造商,TI 德州儀器產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于商用、軍工以及航空航天領(lǐng)域。
幾十年來(lái),德州儀器一直熱衷于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)降低電子產(chǎn)品的成本,讓世界變得更美好。TI 是第一個(gè)完成從真空管到晶體管再到集成電路(IC)的轉(zhuǎn)變,在過(guò)去的幾十年里,TI 促進(jìn)了IC技術(shù)的發(fā)展,提高了大規(guī)模、可靠地生產(chǎn)IC的能力。每一代創(chuàng)新都是在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)上,使技術(shù)更小、更高效、更可靠、更實(shí)惠——從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,專(zhuān)注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品,并備有現(xiàn)貨庫(kù)存,可當(dāng)天發(fā)貨。
推薦資訊
隨著自動(dòng)化制造、電動(dòng)汽車(chē)、先進(jìn)建筑系統(tǒng)和智能家電等行業(yè)的發(fā)展,對(duì)提高這些機(jī)電設(shè)備的控制、效率和功能的需求也在增長(zhǎng)。本文探討了碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)的突破如何重新定義了歷來(lái)使用硅IGBT(Si IGBT)進(jìn)行功率逆變的電動(dòng)機(jī)的能力。這項(xiàng)創(chuàng)新擴(kuò)展了幾乎每個(gè)行業(yè)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的能力。
DELTA HCUVD6595系列電感器提供0.2至1.0微亨的電感值范圍,最大直流電阻為0.85毫歐,可承受12至66A的飽和電流和28A的有效電流。其緊湊的物理尺寸最大為6.5x6.5x9.5毫米,適合電源管理和信號(hào)處理等多種電子應(yīng)用。該系列產(chǎn)品在25°C、100kHz和1V條件下具有穩(wěn)定的電氣特性。
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