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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  SpeedWave?300P半固化片Rogers 2024-02-22 08:54:04

  SpeedWave 300P半固化片是一款低介電常數(shù)和極低損耗的材料，適用于各種羅杰斯層壓板的粘結(jié)。它可以與羅杰斯的各種高性能層壓板產(chǎn)品配合使用，包括XtremeSpeed RO1200、CLTE-MW和RO4000系列等。